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HBAT-5402-TR2G - Broadcom
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图片信息
HBAT-5402-TR2G 图片
HBAT-5402-TR2G
  • 制造厂家：Broadcom（博通）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 射频，封装:SOT-23-3
  • 技术参数：DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3
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HBAT-5402-TR2G 技术参数详情：
  • 型号:HBAT-5402-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 30V 250MW SOT23-3
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向（最大值）:30V
  • 电流 - 最大值:220 mA
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散（最大值）:250 mW
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 快速提供HBAT-5402-TR2G专业且全面的报价，Broadcom代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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