BY25D40ESOIG(R) - BYTe
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图片信息
BY25D40ESOIG(R)
制造厂家:
BYTe (BYTe Semiconductor)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:8-TSSOP
技术参数:
4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
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BY25D40ESOIG(R) 技术参数详情:
型号:BY25D40ESOIG(R)
品牌:BYTe Semiconductor (BYTe)
封装:8-TSSOP
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:4 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
南皇电子 可编程:-
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:FLASH - NOR
存储容量:4Mb
存储器组织:512K x 8
存储器接口:SPI - 双 I/O
时钟频率:120 MHz
写周期时间 - 字,页:3.6ms
访问时间:7 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
供应商器件封装:8-TSSOP
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