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AMTP65H150G4LSGB - Analog Power
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图片信息
AMTP65H150G4LSGB 图片
AMTP65H150G4LSGB
  • 制造厂家：Analog Power
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-DFN（8x8）
  • 技术参数：GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8
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AMTP65H150G4LSGB 技术参数详情：
  • 型号:AMTP65H150G4LSGB
  • 品牌:Analog Power Inc. (Analog Power)
  • 封装:4-DFN（8x8）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 6 V
  • Vgs（最大值）:±18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:760 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:4-DFN（8x8）
  • 封装/外壳:4-PowerTSFN
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