AS6C2016-55BINTR - Alliance Memory
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图片信息
AS6C2016-55BINTR
制造厂家:
Alliance Memory
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:48-TFBGA(6x8)
技术参数:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
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AS6C2016-55BINTR 技术参数详情:
型号:AS6C2016-55BINTR
品牌:Alliance Memory, Inc. (Alliance Memory)
封装:48-TFBGA(6x8)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:SRAM
技术:SRAM - 异步
存储容量:2Mb
存储器组织:128K x 16
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:55ns
访问时间:55 ns
电压 - 供电:2.7V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:48-TFBGA
供应商器件封装:48-TFBGA(6x8)
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