AS4C4M16S-6TIN - Alliance Memory
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图片信息
AS4C4M16S-6TIN
制造厂家:
Alliance Memory
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:54-TSOP II
技术参数:
IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
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AS4C4M16S-6TIN 技术参数详情:
型号:AS4C4M16S-6TIN
品牌:Alliance Memory, Inc. (Alliance Memory)
封装:54-TSOP II
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 64MBIT PAR 54TSOP II
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:SDRAM
存储容量:64Mbit
存储器组织:4M x 16
存储器接口:并联
时钟频率:166 MHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:5.4 ns
电压 - 供电:3V ~ 3.6V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:54-TSOP(0.400,10.16mm 宽)
供应商器件封装:54-TSOP II
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