RM24C256DS-LSNI-B 技术参数详情：
- 型号:RM24C256DS-LSNI-B
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC CBRAM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIC
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:CBRAM
- 技术:CBRAM
- 存储容量:256Kb
- 存储器组织:64 字节页大小
- 存储器接口:I2C
- 时钟频率:1 MHz
- 写周期时间 - 字，页:100s，2.5ms
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.65V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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