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SM8S30A-Q1 - ANBON
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图片信息
SM8S30A-Q1 图片
SM8S30A-Q1
  • 制造厂家：ANBON (ANBON SEMICONDUCTOR)
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:DO-218AB
  • 技术参数：TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
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SM8S30A-Q1 技术参数详情：
  • 型号:SM8S30A-Q1
  • 品牌:ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED (ANBON)
  • 封装:DO-218AB
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO218AB
  • 系列:-
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态（典型值）:30V
  • 电压 - 击穿（最小值）:33.3V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:48.4V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):136A
  • 功率 - 峰值脉冲:6600W（6.6kW）
  • 电源线路保护:无
  • 应用:-
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-218AB
  • 供应商器件封装:DO-218AB
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