射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
ALD1110ESAL - ALD
ALD代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
ALD产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
ALD1110ESAL 图片
ALD1110ESAL
  • 制造厂家：ALD（Advanced Linear Devices，）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-SOIC
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
  • 需要ALD1110ESAL的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
ALD1110ESAL 技术参数详情：
  • 型号:ALD1110ESAL
  • 品牌:Advanced Linear Devices Inc. (ALD)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
  • 包装:管件
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）配对
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:10V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 欧姆 @ 5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.01V @ 1A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2.5pF @ 5V
  • 功率 - 最大值:600mW
  • 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 快速提供ALD1110ESAL专业且全面的报价，ALD代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
ALD品牌LOGO
更多ALD产品：
ALD公司授权代理商
Global
Kioxia
NI
Energy Re-Connect
Himax
ALD1110ESAL（制造商：ALD） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台