ALD110908PAL - ALD
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图片信息
ALD110908PAL
制造厂家:
ALD(Advanced Linear Devices,)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-PDIP
技术参数:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
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ALD110908PAL 技术参数详情:
型号:ALD110908PAL
品牌:Advanced Linear Devices Inc. (ALD)
封装:8-PDIP
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
包装:管件
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N 沟道(双)配对
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):10.6V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12mA,3mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):500 欧姆 @ 4.8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):820mV @ 1A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2.5pF @ 5V
功率 - 最大值:500mW
工作温度:0°C ~ 70°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm)
供应商器件封装:8-PDIP
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