ALD1108EPCL - ALD
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图片信息
ALD1108EPCL
制造厂家:
ALD(Advanced Linear Devices,)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:16-DIP(0.300,7.62mm)
技术参数:
MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
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ALD1108EPCL 技术参数详情:
制造商产品型号:ALD1108EPCL
制造商:Advanced Linear Devices Inc.(ALD)
描述:MOSFET 4N-CH 10V 16DIP
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:EPAD
零件状态:有源
FET类型:4 N 沟道,配对
FET功能:标准
漏源电压(Vdss):10V
25°C时电流-连续漏极(Id):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):500 欧姆 @ 5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.01V @ 1A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):25pF @ 5V
功率-最大值:600mW
工作温度:0°C ~ 70°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:16-DIP(0.300,7.62mm)
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ALD1108EPCL
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