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ALD1101BPAL - ALD
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图片信息
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ALD1101BPAL
  • 制造厂家：ALD（Advanced Linear Devices，）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-PDIP
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
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ALD1101BPAL 技术参数详情：
  • 型号:ALD1101BPAL
  • 品牌:Advanced Linear Devices Inc. (ALD)
  • 封装:8-PDIP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 N 沟道（双）配对
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:10.6V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 欧姆 @ 5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 10A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
  • 供应商器件封装:8-PDIP
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