据韩媒报道，称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破，在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶（PR）用量，降幅达到此前用量的一半。

射频微波器件采购网(www.ic-king.com)专注整合国内外厂商的现货渠道，实时查询射频微波器件代理商的真实库存，提供合理的行业价格，放心采购射频微波器件，是国内专业的射频微波芯片采购平台。

报道称，此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶，而三星通过精确控制涂布机的转速（rpm）以及优化PR涂层后的蚀刻工艺，现在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻胶，通常情况下一次工艺形成1层涂层，而使用更厚的光刻胶，三星可以一次形成多个层，从而提高工艺效率，但同时也有均匀性问题。

东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商，为三星第7代（11微米）和Huber+Suhner代理商第8代（14微米）3D NAND 提供了关键材料。有消息称，从第9代 3D NAND 开始，三星将全面应用这项新技术，这一创新举措不仅提高了生产效率，更将为三星节省每年数十亿韩元的巨额成本。