EverSpin公司（EverSpin Technologies，埃弗斯宾）成立于2003年，总部位于美国亚利桑那州钱德勒市，是全球领先的磁阻随机存取存储器（MRAM）与磁传感器供应商。公司脱胎于摩托罗拉和飞思卡尔半导体部门，继承了逾二十年的磁性隧道结（MTJ）技术积淀。主营产品线包括Toggle MRAM、自旋转移矩MRAM（STT-MRAM）以及各类磁传感器芯片，涵盖标准存储器和定制化方案。技术定位上，EverSpin专注于非易失性、高读写速度、近乎无限擦写次数的存储技术，其MRAM产品兼具SRAM的速度与闪存的非易失性，广泛应用于工业控制、汽车电子、航空航天和数据中心等领域。在产业链中，EverSpin扮演着关键存储器件原创设计与制造的角色，拥有从器件设计到晶圆制造的完整能力，并通过代工与合作伙伴扩大产能。作为MRAM商业化先驱，EverSpin持续推动磁性存储技术从利基市场走向主流应用，为需要高可靠性、耐辐射和宽温工作的场景提供核心芯片支持。如需获取产品与技术资料，可访问 EverSpin代理 页面了解详情。